Samsung startet Massenproduktion des industrieweit ersten 10-Nanometer-Class-DRAM
Verfasser: pr-gateway on Tuesday, 5 April 2016
Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei fortschrittlicher Speichertechnologie, kündigte heute den Start der Massenproduktion der industrieweit ersten 10-nanometer (nm) Class* DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM-Chips mit 8-gigabit (Gb) und daraus abgeleiteten Modulen an. DDR4 DRAM entwickelt sich weltweit schnell zu dem am häufigsten produzierten Memory für PCs und IT-Netzwerke und Samsungs neueste Fortschritte werden helfen, den branchenweiten Übergang zu innovativen DDR4-Produkten zu beschleunigen.
Samsung hat erstmals in der Branche die Tür zum "10nm-Class DRAM" geöffnet, nachdem technische Herausforderungen beim DRAM-Skalieren gemeistert werden konnten. Diese Probleme wurden mithilfe aktuell verfügbarer ArF (Argon Fluoride) Immersions-Lithografie ohne den Einsatz von EUV-Equipment (Extreme Ultra Violet) gelöst.
Samsungs Roll-out des 10nm-Class (1x) DRAM kennzeichnet erneut einen Meilenstein für das Unternehmen, nachdem es als erster Hersteller im Jahr 2014 mit der Produktion von 20-nanometer (nm)** DDR3 DRAM mit 4Gb begonnen hat.