Neues Verfahren von TANAKA erzeugt ultradünne Ruthenium-Halbleiterschichten von hoher Qualität
Verfasser: pr-gateway on Tuesday, 12 July 2022Die zweistufige Atomlagenabscheidung nutzt den flüssigen Ruthenium-Präkursor TRuST. Sie erzeugt ultradünne Halbleiterschichten mit geringem Widerstand und hoher Haltbarkeit - für leistungsfähigere Mikrochips der Zukunft.
TANAKA stellt heute ein zweistufiges Filmabscheidungsverfahren vor, das den flüssigen Ruthenium-Präkursor TRuST verwendet. TRuST ist ein Präkursor (ein Ausgangsprodukt für eine chemische Reaktion), der sehr gut sowohl mit Sauerstoff als auch mit Wasserstoff reagiert und hochwertige Rutheniumschichten bilden kann. Bei dem neuen Verfahren handelt es sich um eine zweistufige Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD), bei dem Wasserstoff für die Bildung eines dünnen Antioxidationsfilms und Sauerstoff für die Abscheidung eines hochwertigen Rutheniumfilms verwendet wird. Der zweistufige Prozess verhindert, dass das Substrat oxidiert, und sorgt gleichzeitig dafür, dass bei der Abscheidung der Wasserstoffschichten die Reinheit des Rutheniums nicht beeinträchtigt wird.