Samsung startet Massenproduktion des weltweit schnellsten DRAMs - basierend auf neuester HBM-Schnittstelle (High Bandwidth Memory)
Verfasser: pr-gateway on Tuesday, 19 January 2016Erstes 4-Gigabyte HBM2 DRAM erzielt sieben Mal höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit als bisher schnellstes DRAM
SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 - Samsung Electronics Co. Ltd. hat die Massenproduktion des branchenweit ersten 4-gigabyte (GB) DRAM Package mit HBM2-Schnittstelle (High Bandwidth Memory) der zweiten Generation aufgenommen. Die neuen High-Bandwidth-Speicher eignen sich speziell für HPC-Anwendungen (High Performance Computing), fortschrittliche Grafik- und Netzwerksysteme sowie für Enterprise Server. Samsungs neue HBM-Lösung ist über sieben Mal schneller als aktuelle DRAMs und bietet damit eine noch nie dagewesene Leistungsfähigkeit. Dies ermöglicht eine schnellere Reaktionsfähigkeit bei Rechenaufgaben aus dem Bereich High-End-Computing, zum Beispiel Parallelverarbeitung, Grafik-Rendering und maschinelles Lernen.